PHYSIK III Prof. Dr. Danilo Pescia Tel. 044 633 21 50 [email protected] Niculin Saratz Tel. 044 633 23 28 [email protected] Wintersemester 06/07 www.microstructure.ethz.ch Serie 2, Musterlösung 1. Geladene Kugel ~ r) = E(r) · ~er . Um E im Abstand r vom Kugelmittelpunkt Aus Symmetriegründen folgt E(~ ~ durch eine kugelförmige Gaussfläche S mit zu berechnen, betrachten wir den Fluss von E ~ · dS ~ = EdΩ. Wir benützen das 1. Gesetz der Radius r um den Kugelmittelpunkt. Damit ist E Elektrostatik. ZZ ZZ ZZ 1 ~ · d~s = · Qin ΦS = E E dΩ = E(r) dΩ = E(r) 4πr2 = ε0 S S S Somit brauchen wir nur noch Qin zu berechnen: 4πr03 ρ 3 4πr3 Qin = ρ 3 r ≥ r0 : Qin = r ≤ r0 : ⇒ ⇒ ρ r03 3 r 2 ε0 ρr E(r) = 3 ε0 E(r) = 2. Zylinderkondensator Wir berechnen das elektrische Feld mit Hilfe des Gauss’schen Satzes. Als Integrationsfläche S wählen wir einen Zylinder der Höhe h und Radius r. Aus Symmetriegründen verschwinden ~ · dS ~ = E(r)dΩ = E(r)dh r dr. die z- und ϕ-Komponenten des elektrischen Feldes. Somit ist E • Gebiet a: ZZ ~ · dS ~ = 1 Qin = 0 E ε0 S • Gebiet b: Z =⇒ E=0 =⇒ Φa = ~ = konst. = C ~ · dr E ZZ ~ · dS ~ = 2πrhE(r) = 1 2πri hσi =⇒ E(r) = σri E ε0 ε0 r S r Z σ ri r σ ri 0 dr = − ln +C , Φb = − 0 ε0 r ε0 ri ri da Φb (ri ) = Φa (ri ) = C gelten muss. (Stetigkeit des Potentials.) • Gebiet c: ZZ ~ · dS ~ = 2πrhE(r) = 1 2πh(ri − ra ) σ E ε0 S Zr Φc = − =⇒ ri − r a σ 0 σ dr = − (ri − ra ) ln r 0 ε0 ε0 E(r) = r ra ri − r a σ r ε + C0 ra Stetigkeit der Potenziale: Φb (ra ) = Φc (ra ) 1 =⇒ σ ri C =− ln ε0 0 ra ri +C Prof. Dr. Danilo Pescia Tel. 044 633 21 50 [email protected] PHYSIK III Wintersemester 06/07 www.microstructure.ethz.ch Niculin Saratz Tel. 044 633 23 28 [email protected] 3. Gravitations- und Coulombwechselwirkung a) Sowohl die Gravitationskraft als auch die Coulombkraft wirken entlang der Verbindungslinie, d.h. in unserem Fall entlang der x-Achse. Sie lauten: me mp = −1.01 · 10−47 N R2 1 q e qp = = −2.31 · 10−8 N 4πε0 R2 Fxgrav = −γ Fxel b) Die kinetische Energie eines ursprünglich ruhenden Elektrons, das eine Potenzialdifferenz von U = 1 V durchlaufen hat, ist Ekin = −∆Epot = −qe U = 1.602 · 10−19 J, d.h. 1 eV = 1.602 · 10−19 J. Damit erhalten wir folgende Energien: grav Epot el Epot 1.01 · 10−57 me mp −57 = −1.01 · 10 J=− eV = −6.33 · 10−39 eV = −γ −19 R 1.602 · 10 1 qe qp 2.31 · 10−18 = = −2.31 · 10−18 J = − eV = −14.4 eV 4πε0 R 1.602 · 10−19 4. Geladene Platten a) Aus Symmetriegründen steht das elektrische Feld senkrecht auf den Platten. Um das elektrische Feld zu erhalten, berechnen wir den Fluss des elektrischen Feldes durch die Oberfläche S eines Zylinders mit Grundflächen ∆f parallel zu den Platten. Somit verschwindet der Fluss des elektrischen Feldes durch den Zylindermantel. Wir wählen den Nullpunkt der x-Achse zwischen den Platten, so dass sich die Platten bei x = −d/2 resp. x = d/2 befinden. Wir berechnen das Feld welches von einer Platte erzeugt wird: ZZ ~ · dS ~ = 1 Qin ⇒ 2 ∆f E = 1 2 ∆f σ =⇒ E = σ E ε0 ε0 ε0 S Wie wir sehen, hängt das elektrische Feld nicht vom Abstand von der Platte ab. Die elektrischen Felder in den einzelnen Gebieten ergeben sich nun durch die Superposition der Felder der beiden Platten. Gebiet a: Gebiet b: Gebiet c: ~ a = (− 2σ , 0, 0) E ε0 ~ Eb = (0, 0, 0) ~ c = ( 2σ , 0, 0) E ε0 2 PHYSIK III Prof. Dr. Danilo Pescia Tel. 044 633 21 50 [email protected] Niculin Saratz Tel. 044 633 23 28 [email protected] Wintersemester 06/07 www.microstructure.ethz.ch b) Anfangsgeschwindigkeit: ~v0 = (0, 0, 0) Gebiet a: mẍ(t) = q E Gebiet b: mẍ(t) = 0 Gebiet c: mẍ(t) = q E ⇒ ~x(t) = − − − x0 , 0, 0 d ⇒ ~x(t) = 2 − x0 , 0, 0 qσ 2 d ⇒ ~x(t) = ε0 m t + 2 + x0 , 0, 0 qσ 2 t ε0 m d 2 c) Kein Feld ⇒ Teilchen bleibt in Ruhe: ~x(t) = d 2 − x0 , 0, 0 ~ = −∇Φ ~ d) E R Gebiete a & c: Φ = − E dx = −E x Gebiet b: ⇒ Φa = 2σ ε0 x & Φc = − 2σ x ε0 Φ = konst. Stetigkeit der Potenziale bei x = ± d2 =⇒ 3 Φb = − σε0d