Energietechnisches Praktikum I Versuch 12 - Home

INSTITUT FÜR HOCHSPANNUNGSTECHNIK
Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
Univ.-Prof. Dr.-Ing. Armin Schnettler
Energietechnisches Praktikum I
Versuch 12
Stoßspannungsuntersuchung
INSTITUT
FÜR
HOCHSPANNUNGS
TECHNIK
RHEINISCHWESTFÄLISCHE
TECHNISCHE
HOCHSCHULE
AACHEN
Einleitung
Elektrische Anlagen müssen rentabel arbeiten und deshalb möglichst permanent zur
Verfügung stehen, Ausfallzeiten sind zu vermeiden. Hierfür genügt es nicht, die Isolation
der Anlagen nur auf Nennspannung auszulegen: Im Netz treten kurzzeitig wesentlich
höhere Spannungen auf, die das Betriebsmittel zerstören können.
Diese sogenannten Überspannungen werden anhand ihrer Ursache wie folgt unterteilt:
-
äußere Überspannungen: Ursache außerhalb des Systems,
überwiegend Gewitterentladungen ( Blitzstoßspannungen),
aber auch Leiterbruch oder Isolationsfehler in Transformatoren zwischen Ober- und
Unterspannungswicklung, in letzteren Fällen hat die Überspannung Netzfrequenz.
-
innere Überspannungen: Ursache ist netzinterner Vorgang,
überwiegend Schaltoperation ( Schaltstoßspannung ), z.B. Ein- und Ausschalten einer
leerlaufenden Leitung, Schaltung von unbelasteten Transformatoren, Lastabwurf usw.
Im Laufe des Versuchs werden Stoßspannungen erzeugt, Überschlagspannungen eines
Prüflings gemessen sowie verschiedene Überspannungsableiter untersucht.
1
Physikalische und technische Grundlagen
1.1
Definitionen
Unter Stoßspannungen versteht man Spannungen, deren Anstieg (Stirn der Stoßspannung)
bis zum Scheitelwert Û erfolgt und deren Abfall (Rücken der Stoßspannung) im
allgemeinen wesentlich flacher als der Anstieg verläuft (fig. 1).
fig. 1: Stoßspannungsverlauf
Bei stoßweiser Spannungsbeanspruchung ergeben sich für dasselbe Anlagenteil andere
Überschlag- und Durchschlagsspannungen als bei Belastung durch Wechsel- oder
Gleichspannung. Deshalb ist es notwendig, mit Stoßspannungen Untersuchungen
durchzuführen und Hochspannungsgeräte auf entsprechende Belastbarkeit zu prüfen.
2.1.1 Kennwerte für Stoßspannungen
Der zeitliche Verlauf und die Dauer einer Stoßspannung hängen von der Art der
Erzeugung ab. Für Prüfzwecke wird üblicherweise die in fig. 2 dargestellte genormte
Stoßspannung/VDE 0432/ verwendet.
TS = 1,67 T
T′ = 0,3 TS = 0,5 T
TS: Stirnzeit
Tr: Rückenhalbwertzeit
O1: Stoßbeginn
fig. 2: Genormter Stoßspannungsverlauf (Blitzstoßspannung)
2.1.2 Blitzstoßspannung
Gemäß VDE 0432, Teil 100 und IEC-Publ. 60 ist bei Stoßspannungen für Prüfzwecke der
zeitliche Verlauf durch geeignete Zeitparameter für Stirn und Rücken nach fig. 2
festgelegt.
Da bei Blitzstoßspannungen der wirkliche Verlauf der Stirn oft schwer zu erfassen ist
(verschliffener Beginn!), wird eine Hilfskonstruktion gewählt:
Man legt eine Gerade, die Stirngerade, durch die Punkte A und B. Durch die Punkte O1
und S1 wird die Stirnzeit Ts definiert. Die Rückenhalbwertzeit Tr ist durch die Punkte O1
und C festgelegt.
Üblicherweise werden Blitzstoßspannungen der Form 1,2/50 verwendet. Damit ist eine
Stoßspannung mit Ts = 1,2 ms und Tr = 50 ms gemeint.
Für Höhe und Verlauf der Stoßspannung am Prüfling gelten nach VDE 0432 folgende
Toleranzen:
Scheitelwert
Û
±
3 %
Stirnzeit
Ts
±
30 %
Rückenhalbwertzeit Tr
±
20 %
2.1.2 Schaltstoßspannung
Im Gegensatz zum Blitzstoß lässt sich der Verlauf der viel langsameren
Schaltstoßspannung (fig. 3) messtechnisch problemlos erfassen. Zur Kennzeichnung
werden hier der wirkliche Beginn 0 und der wirkliche Scheitel S für die Normung
herangezogen.
Für Prüfungen mit Schaltstoßspannungen wird häufig die Form 250/2500 verwendet, die
einer Scheitelwertzeit Tcr = 250 ms und einer Rückenhalbwertzeit Th = 2500 ms entspricht.
Zur Kennzeichnung einer Schaltstoßspannung kann zusätzlich die Scheiteldauer Td benutzt
werden, während der der Augenblickswert der Schaltstoßspannung über 0,9 Û liegt.
Td
Tcr
Scheiteldauer
Scheitelwertzeit
(time to crest)
Rückenhalbwertzeit
(time to half value)
Th
Tcr
fig. 3: Festlegung der Zeitkennwerte bei Schaltstoßspannungen
1.2
Kapazitive Kreise zur Stoßspannungserzeugung
1.2.1 Grundschaltungen
Stoßspannungen werden durch Kondensatorentladungen erzeugt. Hierfür gibt es zwei als
„Schaltung A“ und „Schaltung B“ bezeichnete Grundschaltungen, welche in fig. 4
dargestellt sind.
U(t)
Cs
Cb
Schaltung A
Stoßkapazität
Belastungskapazität
U(t)
Rd
Re
Schaltung B
Dämpfungswiderstand
Entladewiderstand
fig. 4: Grundschaltungen für Stoßspannungskreise
Der Stoßkondensator Cs wird über einen hochohmigen Ladewiderstand auf die
Gleichspannung Uo geladen und durch Zünden der Funkenstrecke F entladen. Die
gewünschte Stoßspannung u(t) tritt am Belastungskondensator Cb auf.
Schaltung A und B unterscheiden sich voneinander dadurch, dass der Entladewiderstand
Re einmal hinter, einmal vor dem Dämpfungswiderstand Rd liegt. Die Größe der Elemente
bestimmt den zeitlichen Verlauf der Stoßspannung.
Der praktische Einsatzbereich ist äquivalent, beide Schaltungen arbeiten wie folgt: Die
kurze Stirnzeit erfordert eine rasche Aufladung von Cb über den Widerstand Rd auf den
Scheitelwert Û und der lange Rücken eine langsame Entladung über den Widerstand Re.
Dies wird dadurch erreicht, dass
Re>> Rd ist. Im ersten Augenblick nach Cb Zünden der Funkenstrecke F bei t = 0 liegt etwa
die volle Ladespannung Uo an der Reihenschaltung von Rd und Cb. Die Spannung u(t)
erreicht um so schneller ihren Scheitelwert, je kleiner der Ausdruck Rd × Cb ist. Der
Scheitelwert Û kann nicht größer sein, als sich aus der Aufteilung der anfangs vorhandenen
Ladung Q= Uo × Cs auf Cs+Cb ergibt.
Für den Ausnutzungsgrad h gilt daher
h=
Cs
Scheitelspannung
U$
£
£1
Ladegleichspannung UO
Cs + Cb
Er ist von der Form der zu erzeugenden Stoßspannung abhängig und liegt meist zwischen
0,6 und 0,9. Bei Schaltung B ist h grundsätzlich höher als bei Schaltung A, besonders für
Stoßspannungen mit verhältnismäßig kurzer Rückenhalbwertzeit Tr. Um den
Ausnutzungsgrad h gegen den Wert 1 streben zu lassen, wird man Cs >> Cb wählen.
1.2.2 Vervielfachungsschaltungen
Um bei gegebener Ladegleichspannung Stoßspannungen mit möglichst hohem
Scheitelwert zu erzeugen, verwendet man die von E. Marx angegebene
Vervielfachungsschaltung.
Rd ′
Re′
RL′
RLo
F
CS ′
Cb ′
P
KFS
Tr
G
Dämpfungswiderstand
Entladewiderstand
Ladewiderstand
Eingangswiderstand
Schaltfunkenstrecke
Stoßkondensator
Belastungskapazität
Prüfling
Messfunkenstrecke
Hochspannungstrafo
Gleichrichter
fig. 5: Marx′ scher Stoßspannungsgenerator
Die Wirkungsweise dieses sog. Marx′schen Stoßgenerators wird an dem in fig. 5
dargestellten Beispiel einer Stoßspannungsanlage mit n = 3 Stufen erläutert. Sie wurde
nach der Grundschaltung B (vgl. fig. 4) aufgebaut.
Die Stoßkondensatoren Cs′ der einzelnen Stufen werden über hochohmige
Ladewiderstände Re′ in Parallelschaltung auf die Stufenladespannung Uo′ aufgeladen.
Beim Durchzünden aller Funkenstrecken F werden die Kondensatoren Cs′ in Reihe
geschaltet. Dadurch liegt an der Parallelschaltung aus Belastungskapazität Cb′ und Prüfling
P das n-fache der Stufenladespannung Uo′.
Die Größen der Grundschaltung berechnen sich aus den Größen der einzelnen Ladestufen
wie folgt:
Rd = n × Rd
U0 = U0′×n
CS =
1.3
1
×CS′
n
Re = n × Re′
Berechnung der Zeitkennwerte aus den Stoßkreiselementen
Der Scheitelwert der resultierenden Stoßspannung u(t) erreicht den Wert der
Ladespannung U0 nicht, da die in Cs gespeicherte Ladung nach Zünden der Funkenstrecke
auf Cs und Cb verteilt wird. Der Ausnutzungsgrad h=Û/U0 ist deshalb kleiner als 1. Für die
Spannung ergibt sich ein doppeltexponentieller Verlauf:
u(t) =
U0
T1 ´ T 2 æ - t T 2 - t T 1 ö
´
´ çe - e ÷
ø
Rd ´ Cb T 2 - T1 è
(allgemeiner Verlauf der Stoßspannung).
Mit der meist erfüllten Näherung Re·Cs >> Rd·Cb ergeben sich die folgenden Ausdrücke:
für Schaltung A
für Schaltung B
T2 » ( Rd + Re ) × (Cs + Cb )
T1 »
h»
T2 » Re × (Cs + Cb )
Rd × Re Cs × Cb
×
Rd + Re Cs + Cb
T1 » Rd ×
Cs
Re
×
Rd + Re Cs + Cb
h»
Cs × Cb
Cs + Cb
Cs
Cs + Cb
Durch T1 und T2 ist der Verlauf einer Stoßspannung eindeutig beschrieben. Folglich
müssen auch die VDE- Kennwerte nach fig. 2 Funktionen von T1 und T2 sein.
Es besteht jedoch kein elementar lösbarer Zusammenhang. Deshalb gibt man nur für
bestimmte Blitzstoßspannungen Umrechnungsfaktoren an.
Es gilt:
Stirnzeit
Ts »
2
× T1
b
Rückenhalbwertzeit
Tr »
1
× T2
a
Die Umrechnungsfaktoren 1/a und 2/b sind für beide Grundschaltungen gleich und
betragen für die wichtigsten genormten Verläufe:
Ts / Tr
1,2 / 5
1,2 / 50
1,2 / 200
1/a
2/b
1,44
1,49
0,73
2,96
0,70
3,1
Dieses Verfahren ist um so genauer, je kleiner das Verhältnis Ts / Tr wird. Bei der
Spannungsform 1,2 / 50 ist dieses Verhältnis relativ groß (T2>>T1 nur unvollkommen
erfüllt), weshalb hierfür die Näherungsrechnung oft zu beträchtlichen Fehlern führt.
2.3.1 Berechnung der Stoßkreiselemente für gegebene Zeitkennwerte
In Stoßspannungskreisen, die durch die Schaltungen A und B nach fig. 4 wiedergegeben
werden können, sind die Zeitkonstanten Rd Cb und Re Cs sowie der Ausnutzungsgrad h
nur von der Form der Stoßspannung und vom Kapazitätenverhältnis Cb/Cs abhängig. In fig.
6 ist diese Abhängigkeit mit den festgelegten Stoßspannungen 1,2/50 als Parameter
graphisch dargestellt.
Aus den Kurven für Rd × Cb und Re × Cs lässt sich bei bekanntem Cb und Cs der
Dämpfungswiderstand Rd und der Entladungswiderstand Re näherungsweise bestimmen.
Werden bei diesen Verfahren Cb und Cs in Mikrofarad eingesetzt, so ergeben sich die
Widerstände Rd und Re in Ohm, wenn Rd × Cb und Re × Cs in Mikrosekunden ausgedrückt
werden.
Re Cs
- - - - - Schaltung A
fig.
6:
——— Schaltung B
Abhängigkeit
der
Zeitkonstanten
—·—·—·— gemischte Schaltung
Rd
Cb
und
Re CS
sowie des
Ausnutzungsgrades h von Cb/CS für die Stoßspannung 1,2/50
1.4
Prüfung mit Stoßspannungen
1.4.1 Allgemeines
Bei der Prüfung mit Stoßspannungen ergibt sich folgende Besonderheit: Abhängig von den
momentanen Entladungsbedingungen im Raum zwischen den Elektroden tritt ein
Durchschlag mit einer bestimmten statistischen Wahrscheinlichkeit auf.
Es kann also anhand einer Messung nicht angegeben werden, wie nahe der Scheitelwert U
der jeweils angelegten Stoßspannung an der Durchschlagsspannung Ud liegt, definiert als
der Spannungswert, der zu einer Durchschlagshäufigkeit von 50% führt (Ud-50). Dies lässt
sich nur durch wiederholte Stöße feststellen. Hierzu verändert man zweckmäßig die
Amplitude der Stoßspannung und führt jeweils eine Serie von Spannungsstößen durch.
Führt die Hälfte aller Stöße zum Durchschlag ist Ud-50 erreicht.
1.4.2 Direkte Bestimmung von Wahrscheinlichkeitswerten
Durch wiederholte Stoßspannungsbeanspruchung eines Testobjekts, z.B. Isolator, lässt sich
die in fig. 7 dargestellte Verteilungsfunktion der Durchschlagwahrscheinlichkeit P(U)
bestimmen.
Man erkennt, dass die Stehstoßspannung Ud-0 (Durchschlagswahrscheinlichkeit 0%) und
die gesicherte Durchschlagsspannung Ud-100 (Durchschlagswahrscheinlichkeit 100%) nur
angenähert definiert werden können und daher nicht als Kenngrößen geeignet sind.
Wichtige Kennwerte sind deshalb die Spannungen Ud-5 , Ud-50 und Ud-95.(Spannungen mit
Durchschlagswahrscheinlichkeiten 5%, 50% bzw. 95%)
Zur Auswertung trägt man zweckmäßig die für verschiedene Spannungswerte gemessenen
Durchschlagswahrscheinlichkeiten in einem Wahrscheinlichkeitsnetz auf und erhält eine
Darstellung nach fig. 8.
fig. 7 (links) : Experimentell ermittelte
fig. 8 (rechts) : Experimentell
Verteilungsfunktion (Darstellung im
ermittelte Verteilungsfunktion
linearen Koordinatensystem)
(Darstellung im Wahrscheinlichkeitsnetz)
Liegen die gemessenen Punkte näherungsweise auf einer Geraden, so gehorcht die
Durchschlagspannung des untersuchten Prüflings einer Gauß- oder Normalverteilung.
Die Annahme einer Normalverteilung für die Durchschlagspannung von Anordnungen mit
gasförmiger, flüssiger oder fester Isolation ist in den meisten Fällen zulässig, wenn man
sich auf den Bereich der Durchschlagswahrscheinlichkeit von etwa 5% bis 95%
beschränkt. Ferner ergibt sich die Standardabweichung s der Messreihe aus der Differenz
von Ud-50 und Ud-16 bzw. Ud-84 (s. Fig. 8), da die Gaußverteilung symmetrisch ist. Anhand
des arithmetischen Mittelwertes Ud-50 und der Standardabweichung s kann man in guter
Näherung die folgenden, für die Technik interessanten Spannungswerte ermitteln.
Ud-0 » Ud-50 - 3
×
s
Ud-100 » Ud-50 + 3
×
s
Der als „Stehstoßspannung“ bezeichnete untere Grenzwert Ud-0 ist für die
Festigkeitsberechnung von Anlagen wichtig. Die „gesicherte Durchschlagspannung“ Ud-100
stellt die obere Grenze des Streubereiches dar, die zur Bemessung von
Schutzfunkenstrecken bedeutend ist.
1.5
Überspannungsableiter
1.5.1 Zweck der Überspannungsableiter
Die Anlagen zur Erzeugung und Verteilung von Energie sind auf bestimmte
Nennspannungen ausgelegt. Sie erlauben jedoch Überschreitungen der Nennwerte
innerhalb eines festgelegten Toleranzbereiches. Treten noch größere Überspannungen auf,
ist die Isolation der Anlage gefährdet. Hier müssen Überspannungsableiter eingreifen.
1.5.2 Ableitertypen
Die wichtigsten Komponenten von Ableitern sind Trennfunkenstrecken und Varistoren. Es
werden auch Kombinationen dieser Elemente benutzt (Ventilableiter).
Funkenstrecken bewirken bis zum Erreichen ihrer Ansprechspannung die elektrische
Trennung beider Elektroden. Im Normalbetrieb fließt also kein Strom über diese Ableiter.
Beim Durchzünden stellt die Trennfunkenstrecke eine leitende Verbindung über den
Lichtbogen dar. Der Lichtbogen verlöscht erst dann, wenn die Brennspannung der
Funkenstrecke (einige 10 V) unterschritten wird. Die Ansprechspannung der
Funkenstrecke hängt bei gegebener Schlagweite von der Form des elektrischen Feldes, der
Gasart, der Gasdichte, der Einwirkdauer der Spannung und der Spannungsform ab.
Varistoren sind stark spannungsabhängige Widerstände. Es besteht ein nichtlinearer
Zusammenhang zwischen Strom und Spannung:
I = G ×U a ,
a >1
fig. 9: Theoretische U/I- Kennlinien spannungsabhängiger Widerstände, normiert auf
(200 V/1 mA). Zum Vergleich: Ohmscher Widerstand
Der Silizium-Karbid-Varistor (SiC) mit einem a £ 5 zeigt hierbei eine weit stärkere
Abhängigkeit der Restspannung vom Stoßstrom als die moderneren Metalloxid-Varistoren,
von denen der Zinkoxid-Varistor (ZnO) mit einem a ³ 30 am weitesten verbreitet ist.
Die Zinkoxid-Varistoren können aufgrund ihrer hohen Wärmekapazität und
Energieaufnahmefähigkeit relativ hohe Überspannungen ableiten.
Zu beachten ist, dass beim Varistor auch bei normaler Betriebsspannung ein Reststrom
fließt. Der Reststrom des Silizium- Karbid- Varistors ist um Größenordnungen höher als
der des Zinkoxid-Varistors. Nur der Zinkoxid-Varistor kann als Überspannungsableiter
direkt ins Netz eingebaut werden. Silizium - Karbid - Varistoren müssen hingegen mit
einer Funkenstrecke in Reihenschaltung eingesetzt werden.
1.5.3 Beanspruchung und Spannungsform
Im inhomogenen Feld wird die Durchschlagspannung von der Dauer der Beanspruchung
stark beeinflusst. Die Ausbildung einer Lawine bis zur kritischen Verstärkung benötigt
Zeit. Bei kurzen Beanspruchungsdauern muss die Feldstärke gesteigert werden, um ein
entsprechend schnelleres Vorwachsen des Kanals zu erreichen; das bedeutet einen Anstieg
der Festigkeit mit abnehmender Beanspruchungsdauer.
Dieser bei Stoßspannungen wichtige Effekt wird dargestellt durch Stoßkennlinien
(Stoßspannungsamplitude als Funktion der Durchschlagzeit für einheitliche Kurvenform
und Polarität). Bei homogenen Feldern verläuft die Stoßkennlinie fast waagerecht,
inhomogene Felder haben eine zu kurzen Beanspruchungsdauern hin ansteigende
Stoßkennlinie.
fig. 10 (links) : Konstruktion einer
fig. 11 (rechts) : Durchschlagspannung
Stoßkennlinie aus Stoßspannungs-
verschiedener Elektrodenanordnungen
oszillogramm mit unterschiedlichen
Durchschlagzeiten
2
Versuchsdurchführung
Vorbereitungsaufgabe
Im Verlauf des Versuchs soll ein 2- stufiger Marx′ scher Stoßspannungsgenerator zur
Erzeugung
einer
Blitzstoßspannung
(1,2/50)
aufgebaut
werden.
Der
Hochspannungsbaukasten des Instituts enthält Bauelemente mit folgenden Werten:
Kondensatoren:
6000 pF, 1200 pF, 300 pF, 100 pF
Widerstände: 140 M W , 10 M W , 320 k W , 82 k W , 50 k W , 9.5 k W , 416 W
Wichtig: Alle Bauelemente sind 2x vorhanden !
Berechnung:Bestimmen Sie die Werte der Stufenelemente C´S, C´b, R´e, R´d so, dass bei
maximal möglichem Ausnutzungsgrad die Toleranzen nach VDE 0432 eingehalten
werden.
Mit den berechneten Werten wird der 2- stufige Marx′ sche Stoßspannungsgenerator
aufgebaut.
2.1
Bestimmung der Trocken-Überschlagwechselspannung eines Stützisolators
Aufbau: Wechselspannungsprüfaufbau im Hochspannungsbaukasten Anschluss des
Wechselspannungsmessgerätes im Schaltpult
Messung: Ermittlung der Trocken-Überschlagwechselspannung. Die Messung erfolgt
gemäß VDE 0446, Teil 1, Abschnitt 3.6: Die Wechselspannung wird zunächst auf etwa
75% der Prüfspannung hochgefahren und von da an gleichmäßig mit einem Anstieg von
etwa 2% der Prüfspannung je Sekunde bis zum Überschlag gesteigert. Die
Überschlagspannung ist der arithmetische Mittelwert aus fünf aufeinanderfolgenden
Messungen.
2.2
Bestimmungen der 50%-Überschlag-Blitzstoßspannung eines Stützisolators
2.2.1 Aufbau der Stoßanlage und Überprüfung der Stirn- und Rückenhalbwertzeit
Aufbau: 2-stufiger Marx′scher Stoßspannungsgenerator, Anschluss des Transientenrecorders mit Hilfe des kapazitiven Teilers
Messen: Scheitelspannung U, 0.3*U, 0.9*U, Zeiten TX nach fig. 2
Berechnen: Ts, T′, Tr, Ausnutzungsgrad h
Diskussion: Vergleich mit den gemessenen Werten, Überprüfung, ob Bedingungen nach
VDE 0432 erfüllt sind
2.2.2 Bestimmung der 50%-Überschlag-Blitzstoßspannung
Aufbau: Anschluss des Stützers an den Prüfkreis, Anschluss des Scheitelspannungsmessgeräts
Messen: Die Messung erfolgt gemäß VDE 0446 Teil 1, Abschnitt 3.4:
Für verschiedene Scheitelwerte der Blitzstoßspannung wird eine bestimmte Anzahl Stöße
je Scheitelwert aufgebracht. Der Scheitelwert wird in Schritten von 2% bis 4% der
erwarteten 50%-Überschlagspannung verändert. Die 50%-Überschlagspannung wird aus
der Kurve der Durchschlagwahrscheinlichkeit über der eingestellten Prüfspannung im
Wahrscheinlichkeitspapier entnommen. Die so ermittelte 50%-Überschlagspannung kann
im Rahmen dieser Bestimmung verwendet werden, wenn wenigstens 4 Spannungsstufen
mit je 15 Stößen verwendet werden, wobei jeweils mehr als 0% und weniger als 100% der
Stöße zu Überschlägen führen müssen. Das Zeitintervall zwischen aufeinanderfolgenden
Spannungsbeanspruchungen ist genügend groß zu wählen (> 5 s), um Einflüsse der
vorangegangenen Spannungsbeanspruchung zu vermeiden.
Zeichnen: Messpunkte in Wahrscheinlichkeitspapier ( siehe Protokollvordruck)
2.2.2.1
Aufnahme der Ansprechkennlinie verschiedener Überspannungsableiter
Aufnahme der Ansprechkennlinie einer Spitze-Platte-Funkenstrecke
Aufbau: Anschluss einer Spitze-Platte-Funkenstrecke an den Prüfkreis, positive Spitze
gegen negative Platte, Abstand 80 mm
Messen: Aufnahme der Ansprechkennlinie gemäß fig. 8 durch Variation der Ladespannung
der Stoßkaskade. Mit der jeweils eingestellten Ladespannung sind mindestens 3
Messungen durchzuführen.
Zeichnen: Ansprechkennlinie (vorgefertigtes Diagramm wird ausgeteilt)
Aufnahme der Ansprechkennlinie eines Silizium-Karbid-Überspannungsableiters
Vorgehensweise analog zur Spitze-Platte-Funkenstrecke
3
Quellen
Küchler, A.: Hochspannungstechnik VDI-Verlag, Düsseldorf 1996
Kind, D.: Einführung in die Hochspannungsversuchstechnik Vieweg-Verlag,
Braunschweig, 1981
Beyer, M.; Boeck, W.; Möller, K.; Zaengl, W.: Hochspannungstechnik Springer-Verlag,
1986
Etzel, O.; Helmchen, G.: Berechnung der Elemente des Stoßspannungskreises für die
Stoßspannungen 1,2/50; 1,2/5; 1,2/200 ETZ-A, Bd. 85 (1964), Heft 18
VDE-Bestimmung 0432, Teil 100